1  ZPM410壓差傳感器主要技術(shù)指標(biāo)

1)測量范圍： 0～50KPa；

2)基本參數(shù) (1) 激勵電壓：±10V.DC；(2) 零點輸出：≤0.2 mV；(3) 量程輸出：≥12mV；(4) 絕緣電阻：≥100MΩ/100V.DC。

3)靜態(tài)性能 (1) 準(zhǔn)確度：0.2級；(2) 非線性：0.2%F.S。

4)環(huán)境性能指標(biāo)要求  (1) 工作溫度：-40℃～100℃；(2) 儲存溫度：-40℃～100℃；(3) 零點漂移：0.05%F.S/h；(4) 熱零點漂移：0.02%F.S/℃；(5) 熱靈敏度漂移：0.02%F.S/℃。

2 設(shè)計與方案

2.1產(chǎn)品原理設(shè)計

ZPM410壓差傳感器量程小，為50KPa差壓，產(chǎn)品零點輸出≤0.2mV，產(chǎn)品滿量程輸出≥12mV，在-40℃～100℃范圍內(nèi)，測量精度0.2級，熱零點漂移和熱靈敏度漂移均小于0.02%FS/℃，這對該產(chǎn)品的綜合性能提出了很高的要求。針對該產(chǎn)品的使用要求和技術(shù)要求，提出用硅壓阻式傳感器來實現(xiàn)小量程的差壓測量。硅傳感器的靈敏度系數(shù)大，完全能滿足該產(chǎn)品的靈敏度要求，但硅壓阻式的溫度性能較差，在產(chǎn)品的設(shè)計過程中，重點設(shè)計零點補償與高精度的溫度補償。

通過硅平面集成工藝技術(shù)在硅片上制作四個擴散電阻作為應(yīng)力敏感元件，用機械研磨加各向同性化學(xué)腐蝕方法將硅襯底加工成周邊固支的平膜片彈性力學(xué)結(jié)構(gòu)。四個力敏電阻，連成惠斯頓全橋應(yīng)變電路，這種電路具有最高的靈敏度、最好的溫度補償性能和最高的輸出線性度。硅杯受到一個差值壓力，力敏電阻的電阻率改變，引起電阻阻值改變。電阻率的改變是由于硅膜片的形變引起的，測試端P1與引壓端P2的壓力差與硅膜片的形變成正比，也就是電橋的輸出與壓力差成正比。

2.2壓敏芯片的設(shè)計

為使用傳感器的線性度滿足0.02%的要求，限制硅膜片上最大應(yīng)變（50KPa壓強時）不超過200με的微應(yīng)變。在本項目中，考慮到傳感器要求正、反向≥150KPa的過載，設(shè)計平膜片時，將量程設(shè)計為100KPa，通過降量程使用進行50KPa的壓力測量，從而確保傳感器在高過載下正常工作。通過對光刻版圖的合理設(shè)計，將4個壓敏電阻進行合理布局，利用平膜片中心和邊緣最大的正負(fù)應(yīng)力構(gòu)成電橋，從而獲得高的靈敏度。

2.3傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計

因為產(chǎn)品是微量程差壓測試，為方便安裝，測試壓力端與外引線在軸線方向，將參考壓力端設(shè)計與測試壓力端垂直。引壓端口安裝尺寸根據(jù)用戶要求進行設(shè)計。在傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計上為減輕重量，采用鋁材。為保護產(chǎn)品滿足高強度的振動要求，在產(chǎn)品上將敏感元件進行集成封裝，然后再在整體結(jié)構(gòu)上進行抗振處理。如通過螺紋膠對所有連接部位進行緊固。

2.4傳感器的補償設(shè)計

理論上，電阻布局設(shè)計、制造工藝都力求保證四個橋臂電阻的阻值匹配、阻值的溫度系數(shù)匹配，但由于制造工藝中光刻、制版、擴散等工藝的偏差，實際上，同一工藝制作下的四個橋臂電阻阻值和溫度系數(shù)不可能完全一致，從而使傳感器有一個初始的零點輸出和一定的溫度誤差，這個誤差超過要求值，就必須對其進行補償。本項目產(chǎn)品中，傳感器要求的初始零點≤0.2mV，而且在-40℃～100℃的溫度范圍內(nèi)熱零點與熱量程漂移均≤0.02%FS/℃。對硅壓阻式傳感器，必須通過高精度的補償，才能達到這個要求。

1）零點補償

無論是恒壓源還是恒流源供電，傳感器橋路平衡的條件都是對臂電阻的乘積相等。傳感器的零點補償就是保證對臂電阻的乘積相等。采用在橋路中串接一個精密電阻，可以精確補償傳感器的零點。

2）零點溫漂補償

無論是恒壓源還是恒流源供電，要減小傳感器熱零點漂移，就必須使對臂電阻的乘積相等的前提下，對臂電阻的電阻溫度系數(shù)之和相等，或者對臂電阻之乘積與其電阻溫度系數(shù)之和的乘積與另一對臂的相等。通過在橋臂電阻上并聯(lián)一個阻值很大但溫度系數(shù)不一樣的薄膜電阻來改變橋臂電阻的溫度系數(shù)，從而達到溫度系數(shù)的匹配，實現(xiàn)對傳感器的零點溫漂進行補償。通過測試傳感器的初始零點及其在溫度上限、下限時的輸出，求算出溫漂與零點的補償位置與補償大小，對傳感器的零點與零點溫漂進行補償。

2. 5工藝設(shè)計

ZPM410差壓傳感器的工藝重點在敏感芯片的封裝工藝，設(shè)計了全密封封裝結(jié)構(gòu)對敏感芯片進行保護。ZPM410型壓差傳感器芯片進行獨立封裝，結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1  傳感器芯片封裝結(jié)構(gòu)示意圖

壓阻式壓力傳感器的封裝設(shè)計的重點在于保證密封、應(yīng)力小、抗振等。封裝結(jié)構(gòu)與工藝設(shè)計上采用以下幾點：

1）因為測試量程小，采用粘接技術(shù)，將硅杯通過環(huán)氧膠與外殼固粘，硅杯的正壓端通過一個Φ2的小孔與測試壓力相連。

2）硅杯的負(fù)壓端嵌入金屬保護層，只通過一個Φ2mm小孔與參考端壓力相通。

3）采用漆包線壓焊技術(shù)，將內(nèi)引線通過引線柱外引出。

4）引線柱與外殼燒結(jié)成一體，抗振動性強。

5）硅杯電阻端與外殼、引線柱、金屬保護層之間通過灌充硅膠，形成一體結(jié)構(gòu)，同時，對電阻起保護作用，保證測量精度。

2.6方案確定

課題組前述的方案設(shè)計，澤天傳感有關(guān)專家對方案進行了評審。評審形成了以下幾點主要意見：

1）用擴散硅壓阻式傳感器進行微量程差壓產(chǎn)品設(shè)計，通過高精度的零點補償、零點溫漂補償、量程溫漂補償?shù)目傮w方案可行。

2）敏感芯片的制作工藝是重點，要進行重點設(shè)計與質(zhì)量把關(guān)，對所用的材料性能要進行前提試驗。

3）對于硅壓阻式微差壓傳感器，溫漂的補償要有備選方案。通過多種補償手段相結(jié)合來保證溫漂滿足設(shè)計要求。

4）在補償方案上，由于外串零點補償電阻的溫度系數(shù)遠小于擴散橋臂電阻的溫度系數(shù)，將給橋路引入較大的溫度系數(shù)，考慮在膜片的非應(yīng)變區(qū)設(shè)計一些電阻網(wǎng)絡(luò)，串入橋臂電阻中，通過對補償電阻的選取，來補償橋路的零點。因為補償電阻與橋臂電阻具有相同的溫度系數(shù)，進行零點補償時，不影響溫度漂移。

5）然后通過對各種硅凝膠進行比對，盡量選用進口雙組分硅凝膠對硅杯進行封裝，保證在環(huán)境溫度改變很大時，內(nèi)應(yīng)力很小，不影響引線絲與硅杯性能。

2.7方案的先進性和正確性、實施的可行性

采用硅壓阻式傳感器，實現(xiàn)微量程的差壓測量，保證輸出靈敏度達設(shè)計要求。再通過先進的串接電阻網(wǎng)絡(luò)對傳感器進行零點和零點溫漂補償。采用外串熱敏電阻對靈敏度溫漂進行有效補償。芯片的全密封結(jié)構(gòu)提高抗振性能與可靠性能。該方案正確有效，具有可執(zhí)行性。澤天傳感有先進的傳感器生產(chǎn)、科研設(shè)備，有多年的傳感器設(shè)計研究基礎(chǔ)，在此基礎(chǔ)上研究微量程壓差傳感器，基本無技術(shù)風(fēng)險，產(chǎn)品研究涉及的材料可通過協(xié)作研究或定制獲得，無其他不可預(yù)見的原材料和關(guān)鍵技術(shù)風(fēng)險。

3  研制過程

用戶在研制過程中，要求壓差傳感器結(jié)構(gòu)小，傳感信號輸出配放大電路放大到0.5V～5V的標(biāo)準(zhǔn)輸出信號。制備能在-40℃～100℃下準(zhǔn)確測量50KPa壓力的敏感芯片，進行獨立封裝，并從傳感器結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)小量程、高過載（正反向150KPa）的壓差傳感器。針對硅敏感芯片的制作與封裝，進行選材試驗、封裝材料與引線柱的燒結(jié)試驗等，確定最終的設(shè)計方案，按照設(shè)計方案成功制造出功能齊全的產(chǎn)品，再針對技術(shù)指標(biāo)要求的差距和主要工藝實施問題，分析原因，改進設(shè)計。研制分兩方面。一方面從結(jié)構(gòu)、工藝、材料等方面進行設(shè)計，獲得0.2級精度的微差壓敏感芯片。另一方面進行電路設(shè)計，將傳感器輸出信號放大到標(biāo)準(zhǔn)的0.5V～5V信號。經(jīng)測試，產(chǎn)品的常溫性能在-40℃～100℃滿足技術(shù)協(xié)議要求的0.2級精度，產(chǎn)品的溫漂也符合技術(shù)協(xié)議要求。

4  關(guān)鍵工藝技術(shù)

4.1同材質(zhì)薄膜補償電阻的設(shè)計

由于制造工藝中光刻、制版、擴散等工藝的偏差，實際上，同一工藝制作下的四個橋臂電阻阻值和溫度系數(shù)不可能完全一致，使傳感器有一個初始的零點輸出和一定的溫度誤差。由于擴散電阻對溫度很敏感，溫度系數(shù)大，隨著溫度越高或越低，非線性也越嚴(yán)重，所以，一般產(chǎn)品很難保證在-25℃以下或85℃以上的溫度下有高的測量精度和小的零點溫漂或量程溫漂。

橋路的初始不平衡可以通過串接或并接外電阻進行補償。由于串接的電阻為精度合金電阻，溫度系數(shù)基本為正的，而半導(dǎo)體擴散電阻的溫度系數(shù)為負(fù)的，所以，對橋路進行零點補償會更加增大傳感器的零點溫漂。對傳感器進行溫漂補償時，不能采用一般的正溫度系數(shù)的精密合金電阻，只能采用負(fù)溫度系數(shù)的半導(dǎo)體熱敏電阻，而這種電阻在寬的環(huán)境溫度下，溫度系數(shù)的非線性也很大，對擴散硅傳感器進行高精度溫漂補償很難，非線性也較差。

針對這種情況，在本項目中，從敏感芯片的工藝與版圖設(shè)計上就考慮了傳感器的零點補償與溫漂補償。在傳感器的非應(yīng)變區(qū)設(shè)計一系列與橋臂電阻同材質(zhì)、同工藝的補償電阻網(wǎng)絡(luò)，通過補償電阻阻值的選取，串接入橋路中，對傳感器進行零點補償。通過四個電阻所帶補償電阻的組合，內(nèi)阻或者外阻可以補償?shù)碾娮璺秶菢虮垭娮璧?.3‰～44‰，這個范圍能滿足90%的傳感器的零點補償，而且補償?shù)木冗_0.7‰。經(jīng)試驗統(tǒng)計，對傳感器用10V恒壓供電時，橋路的零點輸出基本能控制在±2000μV范圍內(nèi)。

4.2激光修正工藝的設(shè)計

通過薄膜補償電阻網(wǎng)絡(luò)的組合，可以將傳感器的零點控制在±2000μV范圍內(nèi)，但傳感器的零點輸出要求滿足±500μV要求。而且傳感器經(jīng)過高低溫、加載疲勞、長期的零點時漂后，還要保證輸出在±500μV內(nèi)，這需要在傳感器的裝配、調(diào)試過程中反復(fù)補償。僅通過電阻組合或外并電阻補償，工藝調(diào)試量大，也很難準(zhǔn)確到位。在本項目中，加入了先進的激光調(diào)阻工藝，對電阻條的阻值進行修正。激光調(diào)阻示意圖如圖2。

圖2 激光調(diào)阻示意圖

聚焦的激光束修正電阻條的線寬，電阻通過激光可以對電阻柵條的寬度進行微量調(diào)整，從而電阻的阻值進行微量調(diào)整，修正值偏差±0.1Ω，使電橋阻值滿足R1·R3 =R2·R4的關(guān)系（R1、R3為內(nèi)阻， R2、R4為外阻）。通過激光能量大小、步進速度、束斑大小等參數(shù)的調(diào)整，可以調(diào)節(jié)傳感器的零點在±100μV。經(jīng)過過程老化及后期裝配，保證傳感器的最終零點滿足協(xié)議要求。

5 結(jié)語

通過先進工藝制作的高精度、小量程硅壓阻敏感芯片來進行微壓差50KPa的測量；通過制作同材質(zhì)電阻網(wǎng)絡(luò)進行零點初步補償，激光調(diào)阻工藝進行零點精確修正，保證產(chǎn)品的輸出零點為0±0.2mV。通過制作不同溫度系數(shù)的電阻網(wǎng)絡(luò)進行零點溫漂、靈敏度溫漂補償，保證傳感器的溫漂≤0.02%FS/℃。通過全封裝敏感芯片設(shè)計和合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計，保證傳感器有高的抗振性能。ZPM410型壓差傳感器具有靈敏度高，零點誤差與溫漂誤差小，使用溫度范圍寬，測量準(zhǔn)確等特點，其主要技術(shù)指標(biāo)達到國內(nèi)先進水平。由于壓阻式傳感器的溫漂補償難，進一步拓寬傳感器的使用溫度范圍，提高測試精度是今后的工作重點。同時，針對用戶要求，保證產(chǎn)品質(zhì)量與抗高強振動前提下，盡量減小產(chǎn)品的質(zhì)量。本文源自澤天傳感，版權(quán)所有，轉(zhuǎn)載請注明出處。